硅酸盐学报

2010, v.38;No.250(01) 21-24

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金属有机化学气相沉积法制备Al掺杂ZnO透明导电膜
TRANSPARENT CONDUCTIVE ALUMINIUM-DOPED ZINC OXIDE FILM PREPARED BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD

谢春燕;张跃;

摘要(Abstract):

采用自行开发的金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)法,以乙酰丙酮锌和乙酰丙酮铝分别为锌源和铝源,以氮气为载气,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(Al-doped ZnO,ZAO)薄膜。通过改造MOCVD设备提高制备薄膜的稳定性和均匀性,研究了基片温度、载气流量、水蒸气等沉积条件对薄膜结构,沉积速率及其光、电性能的影响。用扫描电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计和四探针双电测电阻仪分别观察薄膜形貌结构,并测试其光、电性能。结果表明:薄膜为均匀、致密的纳米多晶薄膜,具有六角纤锌矿结构,且呈c轴择优取向生长;薄膜的(002)衍射峰与纯ZnO相比向低角度方向偏移,表明Al进入了ZnO晶格,并导致晶格膨胀;薄膜的紫外-可见光谱透过率在85%以上;电阻率最小可达10-4??cm。

关键词(KeyWords): 金属有机化学气相沉积;铝掺杂氧化锌;透明导电薄膜

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 谢春燕;张跃;

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