硅酸盐学报

2016, v.44;No.325(04) 561-565

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水对常压CVD法制备SnO_2:F透明导电薄膜雾度的影响
Effect of H_2O on Haze of SnO_2:F Transparent Conductive Film Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition

陈峰;张振华;赵会峰;赖新宇;姜宏;

摘要(Abstract):

为制备高雾度、高透过和高导电透明导电薄膜玻璃,采用常压CVD法在硼硅玻璃基板上分别以单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱物、三氟乙酸(TFA)为掺杂剂、去离子水为催化剂,制备了Sn O_2:F透明导电薄膜。研究了不同水用量对薄膜雾度的影响,并分析影响雾度变化的机理。结果表明:通过调节水的用量可实现高雾度、高透过和高导电薄膜的生成。随着水用量的增加,薄膜平均晶粒尺寸、结晶度和雾度先增大后减小;当水用量为MBTC摩尔量的1.5倍时,制备出雾度为14.3%、可见光透过率为76.8%、方块电阻为3.2?/□的薄膜。水的加入和用量的调节有效的解决了雾度和透过率之间相互影响的难题。

关键词(KeyWords): 水含量;常压化学气相沉积;雾度;氟掺杂氧化锡薄膜

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家科技支撑计划项目(2013BAJ15B04);; 海南省重大科技项目(ZDZX2013002-2)资助

作者(Author): 陈峰;张振华;赵会峰;赖新宇;姜宏;

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