Journal of Materiomics, 2017年第1期，pp.71–76
原文及链接：
Computational investigation of the co-doping effect of sulphur and nitrogen on the electronics of CsTaWO6
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2352847816300995
以计算方法研究硫、氮共掺杂对CsTaWO6电子结构的影响
Liuxie Liu, Laicai Li, Quan Li, Chenghua Sun
作为一个典型的AMWO6-型化合物，CsTaWO6的纯相及掺杂相的光催化性能都在实验上得到了广泛的研究。本工作基于密度泛函理论对硫（S）和氮（N）共掺杂CsTaWO6的电子结构进行了研究，侧重探讨了S/N共掺杂所引起的效应。研究发现：（1）S/N掺杂剂倾向于分开存在；（2）N-和S-掺杂分别在价带和导带边引入了带隙中间态；（3）共掺杂不仅缩小了禁带宽度，也促进了光激发的电子和空穴的分离。其中，第三个特征被认为是S/N共掺杂CsTaWO6在光催化水分解中具有更高效率的关键原因。本工作也因此提供了一个普适的掺杂策略，可以占据带边缘态，倾向分离的共掺杂剂还可以提供优异的光催化性能。
关键词：CsTaWO6; Doping; Photocatalysis; Density functional theory