万冬云，李应成，郭贝贝，丁卓翰，罗宏杰，高彦峰
(上海大学材料科学与工程学院，上海 200444)
摘 要：采用磁控溅射法，以VO2 为溅射靶材在硅和石英基底上制备出纯VO2 晶相(B 相和M相)薄膜。借助衬底上籽晶层的辅助，将VO2 薄膜沉积过程中同时进行的成核与生长过程分离成2 个独立的阶段，通过籽晶层辅助生长可有效地降低了VO2 薄膜的制备温度，在低至350 ℃仍可制备出热敏性能较好的VO2 (B 相)薄膜，并且在325 ℃实现了具有一定结晶度的VO2 薄膜的制备；进一步延长了低温籽晶层辅助的VO2 薄膜的退火时间，薄膜逐渐向M 相转变，可期望实现智能窗和光控开关器件中的良好应用。
关键词：磁控溅射；氧化钒薄膜；两步溅射工艺；籽晶层；低温
中图分类号：TQ174 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2017)01–0157–09
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